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    • 速度無妥協:實現下一代原子層製程

    速度無妥協:推動下一代原子層製程的客戶案例

     

    案例研究一覽:

    挑戰 - 在維持重複性原子層製程所需的壓力控制與氣體移除的同時,提高 PEALD 與 ALE 製程速度。

    解決方案 - plasway-Technologies 的 FALP 平台結合快速氣體切換與均勻氣體分布,搭配 Edwards STP-iXA3306CV 渦輪分子泵,以實現低操作壓力及快速腔室氣體排除。

    結果 - 從氣體射入峰值到等離子體操作壓力約需 100 毫秒的壓力轉換,愛德華渦輪分子泵在 PEALD 環境中連續四年實驗後仍保持完全運作。

    戴著防護手套組裝泵浦零件

    隨著半導體裝置日益複雜,製造商面臨一項艱鉅挑戰:如何在不犧牲先進裝置所需的原子級精準度的前提下,提高製程速度 ?

    如等離子體強化原子層沉積 (PEALD) 和原子層蝕刻 (ALE) 等製程,對於打造當今最先進晶片中複雜結構至關重要。

    挑戰很簡單描述,但難以解決:在維持製程控制的同時提高生產力。

    為何更快的加工始於製程環境

    在原子層製程中,氣體必須迅速進入腔室,均勻分布於晶圓表面,然後在下一個製程步驟開始前有效排除。過慢的轉換速度會限制產能,而氣體未完全排除則會影響重複性及製程品質。

    隨著製程速度加快,更廣泛的製程環境效能變得日益重要。三個因素至關重要:

    • 快速輸送氣體。
    • 均勻分布它們。
    • 快速且潔淨地將它們移除,並在下一個循環開始前完成。

    這改變了我們對真空的認知。真空技術不僅僅是創造所需壓力,更能成為提升製程效能的積極推動者。

    創造高速原子層製程的條件

    這是 plasway-Technologies 在開發其 FAST 原子層製程 (FALP) 平台時所面臨的挑戰。FALP 旨在將高速 PEALD 與 ALE 結合於單一腔室內,融合快速氣體切換、精準壓力控制及高度均勻的氣體分布。

    透過 FALP 腔室,我們創造了全球首款整合式高速 ALE/PEALD 系統,結合超快速氣體交換、對稱氣流及愛德華渦輪幫浦,為 ALE/PEALD 製程樹立新標竿。

    Stephan Wege, CEO and Owner, plasway-Technologies

    為了實現這一目標,平台不僅需要先進的製程設計,還需要一套真空解決方案,能夠在維持穩定低壓條件以確保等離子體製程可重複性的同時,快速清除腔室內的製程氣體。

    這正是愛德華在半導體真空環境領域專業知識發揮關鍵作用的地方。愛德華與 plasway-Technologies 攜手合作,利用其數十年半導體製程知識及真空技術專長,協助創造支持該平台性能目標所需的條件。

    解決方案的核心是愛德華 STP-iXA3306CV 渦輪分子泵浦,選用此泵浦以協助達成低操作壓力及快速腔室氣體排除,特別是在淨化階段。

    在 PEALD 和 ALE 中,每個循環必須與下一個循環清楚分離。殘留在腔室內的氣體會降低製程選擇性、增加污染風險並影響重複性。因此,高抽氣速度不僅是抽真空的規格,更是製程的推動因素。 

    FALP 工藝序列中的壓力轉換

    速度與精準可以共存的證明

    結果顯示,當製程專業知識與真空技術結合以解決製造挑戰時,可以達成的成就。

    在 FALP 平台中,腔室壓力約在 100 毫秒內從氣體射入峰值轉換至等離子體操作壓力,支持高速 PEALD 和 ALE 所需的快速氣體交換。

    同樣重要的是,plasway-Technologies 報告指出,在 PEALD 環境中經過四年持續實驗後,Edwards 渦輪分子泵仍然完全運作正常。

    對於製造商而言,這些結果轉化為具體的利益:

    • 更快速的製程轉換
    • 更高的產量潛力
    • 穩定且可重複的製程條件
    • 在嚴苛應用中經證實的可靠度
    • 對擴展先進製程更具信心

     

    展望未來

    隨著半導體線寬變得更小且元件結構更複雜,製造商需要在原子尺度上對材料沉積和蝕刻進行越來越精確的控制。

    plasway-Technologies 與愛德華之間的合作反映了半導體製造領域正在發生的更廣泛轉變。隨著先進的原子層製程從開發環境逐步推向更廣泛的製造應用,焦點越來越多地轉向製程環境本身。

    PEALD 和 ALE 的下一步進展不會由單一突破性技術推動。它們將來自結合適當的製程專業知識、系統設計與關鍵技術,以實現更快速、更高效且更可靠的製造。

    在這種環境下,吸氣不再僅僅是支援性工具。它正成為製程能力中越來越重要的推手,幫助製造商彌合原子級精密與工業規模生產力之間的差距。 

    原子層製程的未來不僅取決於達成原子級精度,還取決於能否以現代半導體製造所需的速度提供該精度。

    常見問題

     

    真空在 PEALD 和 ALE 中的作用是什麼 ?
    真空技術有助於維持電漿製程所需的低壓條件,並在製程步驟之間迅速移除製程氣體。有效的氣體移除也有助於維持製程的重複性,並降低殘留氣體影響下一個循環的風險。

    為什麼在原子層製程中快速移除氣體很重要 ?
    PEALD 和 ALE 需要有效地引入、分布及移除製程氣體,才能在下一個製程步驟開始前完成。更快速的轉換能支持更高的產能,而氣體移除不完全則可能影響重複性及製程品質。

    FALP 平台使用哪種真空幫浦 ? 
    FALP 平台採用愛德華 STP-iXA3306CV 渦輪分子泵浦,旨在協助達成低操作壓力及快速腔室氣體排除,特別是在淨化階段。

    FALP 平台中的壓力轉換速度有多快 ? 
    腔室壓力在約 100 毫秒內從氣體射入峰值轉變為等離子體操作壓力,支持高速 PEALD 和 ALE 所需的快速氣體交換。

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