เรามาพูดคุยเกี่ยวกับโซลูชันห้องอบกัน

นักเรียนที่ดีทุกคนควรทราบจากกฎกฎพื้นฐานของก๊าซว่าแรงดันและอุณหภูมิของก๊าซมีความสัมพันธ์โดยตรง

ในฐานะซัพพลายเออร์อุปกรณ์สุญญากาศ Edwards ไม่เพียงแต่ต้องเป็นผู้เชี่ยวชาญด้านแรงดันสุญญากาศเท่านั้น แต่ยังต้องเป็นผู้เชี่ยวชาญด้านการควบคุมอุณหภูมิด้วย ในห้องเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งงานของเราคือการควบคุมแรงดันใต้บรรยากาศ อุณหภูมิจึงเป็นหนึ่งในปุ่มควบคุมที่มีอิทธิพลมากที่สุด

ช่วงอุณหภูมิของตัวประมวลผลในอุตสาหกรรมกึ่งกลางกําลังขยายไปทั้งสองปลายจนถึงอุณหภูมิที่สูงมากสําหรับก๊าซที่ผ่านการแปรรูปโดยปั๊มเทอร์โบในห้อง แต่ยังถึงอุณหภูมิที่ต่ํามากสําหรับแผ่นชิพและตัวจับด้วย

เพื่อยกตัวอย่างความต้องการอุณหภูมิสูง การผสมผสานระหว่างการสะสมในแหล่งกําเนิดและวัสดุใหม่หมายความว่าเราต้องจัดการกับการสะสมตลอดทั้งระบบสุญญากาศ ในกระบวนการในปัจจุบัน เราจําเป็นต้องรักษาเส้นทางก๊าซทั้งหมดผ่านแหล่งปั๊มเทอร์โบให้สูงกว่า 150 องศาเซลเซียส อุณหภูมิต่ําจะเพิ่มทิศทางและการเลือกของตัวประมวลผลการกัดกร่อน ดังนั้นในปัจจุบันเราจึงจําเป็นต้องมีอุณหภูมิแผ่นชิพต่ํากว่าลบ 87 องศาเซลเซียส  

แต่หากคุณคํานึงถึงข้อจํากัดในการถ่ายเทความร้อนในทางปฏิบัติและลักษณะการคายความร้อนของปฏิกิริยาบางอย่าง เราจําเป็นต้องมีอุณหภูมิแผ่นชิพต่ํากว่า -110 องศา หรือแม้แต่ -120 องศาเซลเซียส

แผนกใหม่ของ Edwards เรียกว่า Semiconductor Chamber Solutions ซึ่งประกอบด้วยเทคโนโลยีเทอร์โบและไครโอเพื่อขยายขีดความสามารถของกระบวนการของ Edwards ทั้งในด้านแรงดันและอุณหภูมิ ทีมเทคโนโลยีแกนเทอร์โบมุ่งเน้นไปที่การแยกความร้อนและการเพิ่มประสิทธิภาพ อันที่จริงแล้ว พวกเขาได้พัฒนาเซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิโรเตอร์แบบไดนามิกรุ่นใหม่ และยังกําลังตรวจสอบวัสดุใหม่ๆ ซึ่งสามารถทําให้อุณหภูมิของปั๊มเทอร์โบสูงถึง 200 และอาจถึง 300 องศาเซลเซียส

ในขณะเดียวกัน ทีมเทคโนโลยีการทําความเย็นของเรากําลังทํางานกับวงจร Joule Thomson ของสารทําความเย็นผสม ซึ่งสามารถให้พลังงานที่จําเป็นเพื่อให้ได้อุณหภูมิเวเฟอร์ที่ต่ํากว่า 120 องศาเซลเซียส

มีหลายวิธีที่เทอร์โบและเทคโนโลยีการทําความเย็นของ Edwards สามารถทํางานร่วมกันได้ เป็นที่ทราบกันดีว่าการมีไอน้ําสามารถเพิ่มการก่อตัวของอนุภาคในกระบวนการบางอย่าง เช่น ขอบซิลิคอนที่เลือก PVD อย่างไรก็ตาม ในช่วงซับมิลเลเตอร์ ไอน้ําเป็นองค์ประกอบหลักของสภาพแวดล้อมห้องอบ การปั๊มไอน้ําทําได้ยากกว่าก๊าซส่วนใหญ่ โมเลกุลก๊าซส่วนใหญ่มีแนวโน้มที่จะกระเด็นออกจากกัน กระเด็นออกจากผนังห้อง และกระเด็นออกจากใบพัดขาเข้าของเทอร์โบ ซึ่งช่วยนําทางก๊าซผ่านเทอร์โบและออกจากห้อง แต่ระดับพลังงานต่ําเหนือโมเลกุลไอน้ําหมายความว่ามีแนวโน้มที่จะเกาะติดกับพื้นผิวที่เกิดการชน แทนที่จะกระเด็นออก ดังนั้นปั๊มเทอร์โบจึงไม่ใช่วิธีที่มีประสิทธิภาพที่สุดในการกําจัดไอน้ํา

อย่างไรก็ตาม ปั๊มแบบเย็นนั้นไม่เหมาะสมในฐานะปั๊มแบบช่องเดียว เพราะหากปั๊มดักจับโมเลกุลทั้งหมด ก็หมายความว่าจะต้องมีการปรับสภาพบ่อยครั้ง ซึ่งหมายความว่าประสิทธิภาพการปั๊มจะไม่เป็นที่ยอมรับ

แต่ด้วยการผสมผสานระหว่างเทอร์โบและปั๊มน้ํา เราจึงมีโซลูชันแบบบูรณาการ ซึ่งอาจลดความดันบางส่วนของไอน้ํา ลดความดันฐาน ซึ่งควรลดจํานวนอนุภาคลง ซึ่งสามารถนําไปสู่การปรับปรุงข้อบกพร่องและเพิ่มผลผลิต ซึ่งเป็นพระราชวังในการผลิตชิป