愛德華半導體為業界提供優質的抽真空產品

微影製程 (晶圓圖案成形的過程) 是 半導體製程中不可或缺的步驟。雖然傳統微影 (甚至是浸潤式微影) 通常 並不需要真空環境，但極紫外光 (EUV) 微影 與電子束微影就需要搭配真空 泵浦。Edwards 可滿足這兩種製程的應用需求。

EUV 微影泵浦解決方案
雖然多重曝光技術有一定的重要性， 但 EUV 系統可提供極短的波長光，因此未來可能需要使用 EUV 微影 。真空環境絕對是 系統能否發揮最佳性能的關鍵。真空系統的乾淨程度， 對延長維修間隔相當重要。我們 已和 EUV 微影 OEM 與光源 OEM 合作開發精密 真空系統，讓您投入的大筆資金有最佳的可靠性回報 。

電子束微影解決方案
矽晶圓進行圖案成形時，電子束微影扮演 相當重要的角色。唯有乾淨且低振動的真空狀態， 才能確保系統的精準表現並維持高度作業時間。

我們的產品解決方案
您可能會需要渦輪分子真空泵浦 (TMP)， 提供製程工具所需的超高真空。我們 STP 系列的 TMP， 其完整的磁浮式轉子設計，能有效降低製程室的污染風險， 並延長維修間隔。現今開發出的產品， 是透過將控制器整合入泵浦內來降低總成本與縮減產品體積， 移除了使用外部控制器 以及泵浦在控制器之間連接笨重的控制纜線的需求。

化學氣相沉積 (CVD) 系統提供 各式各樣的設定，可以形成多種薄膜沉積類型。不同製程 是在不同壓力與同流性區下作業，通常採用 含氟乾洗製程。因為上述所有變數， 您需要諮詢我們的應用工程師，以便選擇適合的泵浦與 廢氣處理系統，大幅延長產品的維修間隔，並 延長製程運作時間。

乾式泵浦選擇
CVD 製程通常會面臨四個特有的挑戰， 為了克服這些挑戰，就必須選擇乾式泵浦產品。會遇到的挑戰如下：

粉塵
多數製程會產生 大量粉塵副產品。真空泵浦的設計 需具處理粉塵而不會阻塞的能力。在某些情況下，粉塵可能會 呈現黏稠狀，或者需要在高溫下作業，以確保 帶入粉塵的其他副產品在泵浦內不會因凝結而卡住裝置。 幾乎所有會產生粉塵的製程， 都需要使用具有高扭力馬達的泵浦，確保泵浦能在壓力下保持 轉動。

凝結
有些半導體製程的副產品會含有氣體， 當氣體分壓增加 或材料接觸到低溫表面時，該氣體便會從氣相轉變為固相。抽送這些副產品時， 您需要非常高溫的泵浦，而這個泵浦 從入口至出口的溫度最好能均勻分布。

腐蝕
某些製程 必須抽送鹵化物。尤其是在維護製程室潔淨時， 就必須進行含氟清洗製程，但是 活性氟基可能會對泵浦內部表面造成損壞。如果製程幾乎都採用 可能造成泵浦腐蝕的化學品，您需要確定泵浦溫度 可以設為較低數值，以降低腐蝕風險。本公司泵浦在設計上， 擁有選擇式溫度設定點，並提供高轉速， 可有效降低腐蝕風險，並降低泵浦內部難免會有的 材料耗損率。進行某些 CVD 製程時， 必須取得平衡的溫度設定點，以避免冷凝問題發生， 並確保適當的腐蝕率。

金屬電鍍
目前有些製程會使用金屬有機前驅物，當這些前驅物通過製程室時 會形成副產品，其中的金屬成分 很有可能會沉積在泵浦表面上。為了確保延長維修間隔，低溫泵浦通常是最佳選擇， 以符合上述應用的需求。 

廢氣處理選擇
只要是 CVD 製程，都必須使用某種形式的廢氣處理裝置， 讓有毒且危險的製程副產品， 可以安全地轉變為可丟棄成分。本公司引以為傲的燃料燃燒式 廢氣管理裝置，能夠有效促使 副產品重組成安全的化合物。採多重注入功能進行燃料燃燒， 可在不需要排除製程廢氣的情況下，關閉主要燃燒器， 以加快發揮綠能模式。 

整合式系統與次潔淨區解決方案
只是擁有泵浦和廢氣處理裝置， 您仍然無法著手進行製程。您將需要連接泵浦排氣口、 依需求接上管線加熱爐，開啟水、吹淨與 電氣線路，再設置好所有的控制信號。您也必須 考慮雙機箱與氣體洩漏偵測，以及 在維護機台之後該如何執行檢漏。所有這類考量事宜都會花費 設計時間與金錢。我們了解此問題，因此開發出 專為製程量身設計的整合式解決方案。 

我們的整合式系統已針對大部分的半導體 CVD 製程進行 預先設計。排氣加熱器會設定在正確 的溫度，可大幅降低成本，並延長運作時間。我們會 在需要處設置檢漏口與閘閥。我們可以將有毒氣體 感應器安裝在設備內，讓整個系統呈封閉狀態， 最重要的是，您只需要提供所需能源。我們 會在需要時分配吹淨、水、電力及控制信號， 建立現成的系統。 

我們所有的整合式系統都是根據 全球經驗所設計。我們是真空與廢氣處理的領導者，因此我們知道什麼是 可行的作法。我們持續不斷地創新並改進我們的作法，因為您需要 來自 Edwards 的卓越服務。 

設備陣容管理

您的晶圓廠配置好所有屬於我們的設備之後， 您會想隨時了解狀況。您想知道產品是否 遇到麻煩，或者需要加以維護。為解決這個問題，我們提供 FabWorks 電腦監控系統。 

FabWorks 系統可利用乙太網路連線到 所有我們的產品，並持續不斷地擷取狀態訊號，並將這些訊號儲存於 自動化資料庫。不只可以查看各種追蹤趨勢，也可看到輸入功率、 電流、溫度或吹淨流量等參數，此外，您還可以查看各項警示或警報， 這類資料都可以圖形化並匯出。有了 FabWorks，您不用 待在晶圓廠內就可以監測設備，您只要連線到內部網路， 就可以充分掌握次潔淨區的狀況。

應用於 CVD 製程時， 設備一定會承受相當大的壓力，而需要加以維護，在最糟糕的情況下， 產品可能突然故障。若要預防意外故障，我們可以與您合作， 將我們的自動化預測式診斷機型加以配置。這些符合製程所需的機型， 可以在下一批晶圓進行加工前，事先對您提出警示， 那麼您就可以有效維護泵浦或廢氣處理裝置， 降低製程當中停擺的風險。  

歸因於許多半導體精細的尺寸特性， 蝕刻製程變得日益複雜。再者， 隨著 MEMS 裝置和 3D 結構的激增，為了符合高長寬比的結構， 矽蝕刻製程的使用需求已經增加。過去以來，蝕刻製程可歸類為 矽、氧化物及金屬等類別的製程。隨著 現今裝置在配置上多採用硬遮罩和高 k 值材料，上述類別之間的 界線已變得模糊。目前裝置所使用的某些材料， 不易在蝕刻製程中氣化，導致 真空組件內形成沉積。與數年前的情況相較，現今製程確實變得 更具挑戰性。我們會密切留意 工業與製程變化，讓產品創新持續走在時代前端， 實現同等級領先的性能。

真空泵浦選擇
幾乎所有乾式蝕刻製程都需要 渦輪分子真空泵浦 (TMP)，以達到 反應離子蝕刻 (RIE) 系統所需要的低壓。 Edwards 發明了第一部 TMP，我們仍持續以新的技術與性能向業界挑戰 。我們提供各式各樣的產品，以滿足 您的應用需求。舉例來說，如需極低壓，您可以 從我們提供的全葉片式 TMP 中擇一使用，TMP 達到的壓縮比 與低基礎壓力可能會讓您感到驚艷。如需高流量作業，您可以選擇結合葉片與 Holweck 設計轉子的混合型 產品。我們甚至有一些產品， 是為了發揮卓越的氫氣性能而經過調整，這是因為 當分子通過 TMP 時，並非所有分子的移動都會達到相同分子速度。 

我們了解節省空間的重要性， 因此我們有許多 TMP 的控制器已經與泵浦整合。您不僅不再 苦於為笨重的控制纜線佈線困擾，還可以省下 機架空間，免去泵浦管理的麻煩。我們也建立先進的技術， 以降低難以去除之氣體停留在泵浦內部表面的 風險。我們甚至領先開發具有高放射率的塗層， 可以滿足需要高運轉溫度的高難度應用需求。 

選擇乾式泵浦時，Edwards 會協助您選擇適合產品， 確保能帶來最長的運作時間。由於蝕刻製程中會採用各種氣體， 製程因此深具挑戰性。舉例來說， 您的製程是否會造成泵浦腐蝕、是否可能在泵浦內產生凝結， 或者以上兩者皆非？您所使用的製程氣體，以及可能形成的副產品， 都需要經過慎重考量。 

廢氣處理選擇
乾式蝕刻製程必須採用某種廢氣處理形式， 以確保您遵循當地的排放規定。再者， 尤其是氧化蝕刻，此類製程會排放全氟碳化物 (PFC)， 因而需要確保您的製程配方可讓廢氣處理過程足以因應 PFC 的 流率。PFC 已知是全球暖化的推手，因此您的 廢氣處理策略對所有人都非常重要。我們的向內點火式燃燒器 專門用於產生高溫火焰，可以分解進入的 氣體並減少排放有害化學物質。

物理氣相沉積 (PVD) 依然是 半導體製造業的重要製程。襯墊層與阻障層的形成， 仍需採用此類完善的半導體製程。 

如果您目前使用集結式機台，就會需要 供裝載室以及傳送室使用的泵浦。如果 PVD 機台 採用低溫泵，您需要準備其他泵浦， 讓低溫泵在達到滿量後再生。在多數情況下，供傳送室使用的泵浦， 也可能用來供低溫泵再生。多數運用於半導體製程的 PVD 機台， 都會配置低溫泵。然而， 渦輪分子真空泵浦 (TMP) 的使用逐日上升，這是因為 TMP 並不需要加以維護， 也不需要進行再生。藉由這兩種因素，可有效降低運轉成本。

過去以來，PVD 製程並不需要進行廢氣處理 。然而，如果 PVD 製程機台也包括 ALD 或 CVD 製程室在內， 您將需要製程就緒的真空泵浦與廢氣處理。我們的應用工程師 和產品專家將會協助您取得有關這類製程的進一步資訊， 有助您決定最適合系統的泵浦尺寸。 我們也可以對管路尺寸提供建議，如此有助於讓您的 PVD 系統 達到最佳化。

現今的計量工具，代表了累積數年的先進開發， 並在達到高產量以及早期偵測製程偏離，持續扮演相當重要的 角色。乾淨無聲的真空環境，是實現先進計量工具的重要推手 。我們提供一系列乾式泵浦與渦輪分子真空泵浦 (TMP)， 可以符合各種真空環境的條件。 

就我們的先進技術應用而言， EPX 系列乾式泵浦就是其中一個例子。此類單軸泵浦以高速轉動， 可讓最終的真空壓力低於傳統 乾式泵浦與輔助泵浦組合達三個次方的量值。在多數情況下，使用 EPX 泵浦可以 免除對 TMP 的需要。

在清潔真空方面，我們的 nXDS 系列乾式 渦捲式泵浦就是另一個例子。Edwards 的專利技術採用精密設計的 波紋管，可保證軸承上的黃油絕對不會釋放到 真空空間內。再者，透過先進的頂部密封設計， 可大幅延長維修間隔。

在前段製程當中，離子佈植機台仍然扮演 相當重要的角色。伴隨離子佈植法而來的真空性能挑戰， 並未隨時間而變得更易克服，我們體認到 電子噪音環境下操作真空泵浦所面臨的挑戰。我們從不 滿足於僅進行符合最低要求的 電磁抗擾性測試標準的測試。我們知道，佈植機台所使用的泵浦 必須擁有更高的抗擾性以及特有的設計功能，才能確保 佈植機台的高電壓區域不會減損泵浦 的可靠度。

我們也特別用心設計 渦輪分子真空泵浦 (TMP)，以確保整合式加熱能夠有效 達到高溫，以實現最大的可靠度。 

選擇適合的佈植機台產品時， 無論這些產品是要安裝在次潔淨區內的機台上或機台下， 我們的應用工程師都樂意提供協助。我們希望您 從 Edwards 體驗到的品質與可靠度，能滿足您的要求。

擴散、磊晶及 ALD 製程是 製造先進半導體裝置的關鍵程序。這些應用 (在 Edwards 的充分了解下) 正代表 了與一般 CVD 製程略有不同的 挑戰。無論是在業界遵循摩爾定律，還是另外採用超摩爾定律技術時， 擴散爐依然有使用上的必要。 一般而言，大容量泵浦需要用來 達到快速製程室排放、製程室環境交換以及高流通能力。 

磊晶薄膜沉積設備仍然 具有挑戰性。在多數情況下，極高流量的氫氣必須 在低燃燒室壓力下作業。您需要具有高氫氣 流通能力的可靠泵浦。此外，您將需要利用我們的 全球應用經驗，來確定您所設計的整體真空 系統達到安全作業。磊晶製程的副產品可能帶來非常大的危害， 需要特別注意是否符合安全作業。 

隨著裝置的形體尺寸日漸縮減，原子層沉積 (ALD) 製程 變得更為常見。無論您的系統 是逐一將晶圓加工，還是成批加工，您會想使用我們的產品，因為這些產品在設計上 盡可能縮短氣體停留時間，並最佳化泵浦熱處理數據與吹淨位置， 確保盡可能達到最長的維修 間隔。因此，ALD 製程其實富有挑戰性。

針對所有擴散、磊晶及 ALD 製程，我們 能讓您了解實際情形，協助您選擇適合的廢氣處理裝置。 配置廢氣處理裝置時，您需要將製程使用材料以及最大流率 納入考量。

在適當的情況下，結合了 我們的全球知識與最佳操作實務的整合式系統，應該是優先採用 的解決方案。我們的整合式系統透過與全廠監控系統的連線，不僅帶來卓越的價值， 還可讓您更容易的管理製程機台。